型号 | SI7485DP-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC |
SI7485DP-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI7485DP-T1-E3 |
产品目录绘图 | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 7.3 毫欧 @ 20A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 900mV @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 150nC @ 5V |
功率 - 最大 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI7485DP-T1-E3CT |